美光宣布 1γ DRAM 内存开始出货：性能提升 15%，功耗降低 20% 以上

近日，美光科技宣布已向合作伙伴和客户提供基于第六代DDR5内存的样品，这是1γ节点的产品，内存速度高达9200MT/s，较上一代提升了15%，有望满足数据中心和端侧AI设备对高性能计算的需求。

美光的1γ节点采用了新一代高K金属栅极CMOS技术，并结合设计优化，功耗降低超过20%，同时热管理性能也得到了显著改善。

此外，新一代DDR5内存通过极紫外光刻（EUV）与工艺创新，使比特密度提升超过30%，有效提升了内存供应效率。

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