美国 EPC 专利被判决无效，国内氮化镓半导体第一股英诺赛科获 ITC 案件终极胜利

IT之家3月19日报道称，美国GaN技术厂商宜普公司（Efficient power Conversion Corporation，EPC）已于2023年向加州地区法院和ITC提起诉讼，指控国产GaN芯片制造商英诺赛科侵犯了EPC的四项专利，并要求禁售及侵权赔偿。

此前，英诺赛科在与EPC发起的专利侵权案中取得了重要胜利：2025年3月18日，美国专利局（USPTO）作出终审裁定，裁定撤销EPC涉及的专利（US’294号专利）的所有权利要求。这一决定彻底推翻了EPC针对英诺赛科的指控，英诺赛科在此漫长的专利战中取得了全面胜利。

2023年5月，EPC在ITC对英诺赛科提起专利侵权调查，声称英诺赛科侵犯了EPC的US’294号专利和其他三项美国专利。此后，EPC自愿撤回其中两项专利。ITC最终裁定第三项专利没有侵权。对于US’294号专利，ITC裁定部分权利要求有效且被侵权。

英诺赛科坚决反对ITC关于US’294号专利有效性和侵权性的裁定，并于2025年1月31日向美国联邦上诉法院提出上诉。英诺赛科认为ITC关于US’294号专利的裁定是错误的，要求其推翻。

目前，美国专利局（USPTO）对US’294号专利的无效裁定确认了ITC先前裁定的错误，也明确了EPC对英诺赛科的指控毫无根据，属于恶意竞争。USPTO在终审裁决中指出，EPC的US’294号专利所有权利要求均无效，因为它们只是在氮化镓（GaN）领域的已知通用技术而已。

英诺赛科成立于2015年12月，总部设在珠海，是一家氮化镓类器件制造商，产品涵盖高低压氮化镓电源IC、功率半导体等。该公司于2024年年底在香港联交所上市，成为国内氮化镓半导体领域的第一家上市公司。

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