填补国内多项空白：我国科研团队在高温超导磁控硅单晶生长技术领域取得重要突破

据银川经济技术开发区管理委员会透露，中国电工技术学会主持召开的“高温超导磁控硅单晶生长装备、技术及应用科技成果鉴定会”于3月15日在银川举办。

专家委员会在鉴定会上对该项目进行了全面评估，认为该项目颠覆了传统磁拉单晶技术，解决了多项硅单晶生长分析与控制等关键技术难题，填补了我国高端硅晶体制造领域的多项空白，综合性能达到国际领先水平。

高温超导磁控硅单晶生长装备、技术及应用的关键在于引入高温超导磁体技术。科研团队针对高品质大尺寸硅单晶生长技术瓶颈，研制出高温超导磁控硅单晶生长装备，另外公司自主研发的高温超导磁控硅单晶生长设备及技术可将硅片含氧量稳定控制在 5ppma以下，硅棒头尾利用率提升4%以上，生产效率提升12%，目前已成功拉出直径达340mm的高品质硅棒。

银川经济技术开发区管理委员会透露，大尺寸硅单晶长棒的快速、高稳定性、低含氧量生长，可直接解决大尺寸(12英寸以上)高品质硅单晶的低成本、规模化生产，实现全产业链降本增效、技术迭代。据项目报告显示，宁夏超导泛科技自主研发的高温超导磁控硅单晶生长设备及技术，能将硅片含氧量稳定控制在5ppma以下，硅棒头尾利用率提升4%以上，生产效率提升12%，已成功拉出直径达340毫米的高品质硅棒。

中国科学院院士甘子钊表示：“这是国际上首次将高温超导技术应用于磁控直拉单晶生长，为高温超导技术产业化做出了开创性的工作，开辟了超导技术产业化的新方向。”

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