瑞萨宣布率先推出 DDR5 MRDIMM 12800MT/s 完整内存接口芯片组

IT之家 11 月 21 日报道，瑞萨电子宣布推出面向第二代 DDR5 MRDIMM 的全新内存接口芯片组解决方案，包含新型 MRCD、MDB、PMIC 芯片以及配套的温度传感器与 SPD 集线器。

瑞萨指出，在人工智能（AI）、高性能计算（HPC）和其他数据中心应用中，对内存带宽需求不断增长，这促使了新一代 DDR5 MRDIMM 的需求。与目前 8800MT/s 的首代产品相比，下一代 DDR5 MRDIMM 可提升 35% 的内存带宽。

瑞萨发布了三款针对第二代 DDR5 MRDIMM 的全新关键组件，包括多路复用寄存时钟驱动器（MRCD）芯片 RRG50120、多路复用数据缓冲器（MDB）芯片 RRG51020、PMIC 芯片 RRG53220。这三款芯片已经样品化，计划于 2025 年上半年投入生产。

瑞萨表示，第二代 MRCD 芯片 RRG50120 的功耗比首代产品降低了 45%；而为 DDR5 MRDIMM 开发的第二代 PMIC 芯片 RRG53220 具备出色的电气过压保护和卓越的能效，在高电流和低电压操作方面进行了优化。

瑞萨高管 Davin Lee 表示：

人工智能和高性能计算对更高性能系统的需求不断增长。瑞萨一直保持与这一趋势同步，与行业领导者合作开发下一代技术和规范。这些公司依赖瑞萨提供的专业技术知识和生产能力来满足不断增长的需求。

我们的第二代 DDR5 MRDIMM 最新芯片组解决方案，彰显了瑞萨在这一市场领域的领先地位。

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