欧洲先进 FD-SOI 中试线启动设计项目征集，目标 2027 年实现 10nm

据法国媒体ECInews报道，欧洲先进FD-SOI中试线项目FAMES于当地时间18日宣布对外公开征集采用10nm、7nm FD-SOI全耗尽型绝缘体上硅工艺的芯片设计方案。

FAMES项目的协调员Dominique Noguet表示基于10nm FD-SOI工艺的测试芯片计划预定于2027年推出。该制程将采用193nm ArFi DUV光刻机，采用SADP自对准双重曝光技术。

FAMES中试线将提供用于先进FD-SOI节点性能评估的PDK（工艺设计套件），以及用于测试设计的MPW多项目晶圆用PDK。

除逻辑制程外，FAMES中试线还将关注配套的片上嵌入式NVM非易失性存储。FAMES的领头机构CEA-Leti研究所已成功研发出OxRAM（氧化物基阻变存储器）样品，并正在研究FRAM/FeFET（铁电存储器）和MRAM（磁性存储器）。

文中含有对外跳转链接，仅供参考。