消息称三星电子已启动 4nm 制程 HBM4 逻辑芯片试生产

据韩媒《Chosun Biz》报道，三星电子DS部门内存（存储器）业务部近日完成了HBM4内存逻辑芯片设计；Foundry业务部已启动采用4nm制程进行试生产。

三星电子计划在完成逻辑芯片的最终性能验证后，向客户提供HBM4内存样品。

逻辑芯片在整体HBM内存堆栈中扮演“大脑”角色，负责控制其上方多层DRAM Die。在HBM4世代，由于内存堆栈I/O引脚数量增加、需要集成更多功能等因素，三大内存原厂均采用逻辑半导体代工制造逻辑芯片。

业内人士指出，HBM内存的主要敌人是运行时的发热，而逻辑芯片在堆栈整体中是热量较大的部分，采用先进制程制造逻辑芯片有助于提高HBM4的能效和性能。

三星电子试图通过相对激进的技术路线在HBM4上重振HBM内存市场份额：除了采用自家的4nm工艺制造逻辑芯片外，还计划在HBM4中引入1c nm制程DRAM Die，并有望在16Hi堆栈中采用无凸块的混合键合技术。

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