鼓励多技术路线探索，消息称三星电子准备开发传统结构 1e nm DRAM 内存

IT之家最新消息：据韩国媒体the bell报道，三星电子计划推出采用常规结构的1e nm制程DRAM，实现先进内存开发多轨化，为未来商业化提供更丰富技术储备。

根据三星前存储器业务负责人李祯培今年9月展示的路线图以及韩国经济日报10月的报道，三星电子原计划在2026年推出的1d nm内存将于2027年推出基于4F²VCT创新结构的0a nm内存。

韩媒指出，1e nm DRAM有望于2028年推出，若最终商业化，4F²VCT DRAM的量产预计将至少推迟至2029年。

4F²VCT DRAM具有DRAM单元更小巧、更有效利用垂直方向空间的优势，但生产流程将引入许多新技术和新设备，从而显著提高资本支出和生产成本；相比之下，延续传统结构的1e nm DRAM具有明显的成本优势。

内部消息人士透露，在经历缩小HBM开发团队规模导致未能在HBM市场取得优势地位等错误后，三星内部对非主要产品技术开发的关注度有了很大改善，这一变化推动了1e nm DRAM等“备选技术”的发展。

广告声明：文内包含的外部链接仅供参考，节省您的甄选时间。