美光：下一代 HBM4 内存计划 2026 年大规模生产，后续推出 HBM4E

根据IT之家12月22日的报道，外媒Wccftech发布了美光公司在其HBM4和HBM4E项目上的最新进展。

具体来说，下一代的HBM4内存将具备2048位接口，预计于2026年开始实现大规模生产，而HBM4E则将在其后几年内问世。

HBM4E将提供更高的数据传输速度，同时还允许根据客户需求定制基础芯片，这一发展趋势可能会推动整个行业的进步。

据悉，定制的逻辑芯片将由台积电采用先进工艺进行生产，能够集成更多的缓存和逻辑电路，从而提升内存的整体性能和功能。

美光总裁兼首席执行官Sanjay Mehrotra表示：“HBM4E的推出将为存储行业带来变革，它将为客户提供定制逻辑基础芯片的选择，借助台积电的先进工艺，美光将能够为特定需求提供定制化的解决方案。这一创新预计将促进美光的财务表现。”

美光指出，HBM4E的开发进展顺利，已经开始与多家客户展开合作，预计不同客户将采用不同配置的基础芯片。

根据IT之家了解，美光的HBM4将基于1β工艺（第五代10nm技术）制造DRAM，配置在2048位接口的基础芯片上，数据传输速率可达6.4GT/s，理论带宽高达每堆栈1.64TB/s。

美光进一步透露，针对英伟达的Blackwell处理器，8-Hi HBM3E设备的出货工作已全面展开，而12-Hi HBM3E堆栈目前正在进行测试，主要客户反响积极。

Mehrotra表示：“我们持续收到来自主要客户的积极反馈，尽管相较于竞争对手的HBM3E 8-Hi低20%功耗，美光的产品依然提供50%的内存容量和行业领先的性能。”

12-Hi HBM3E堆栈预计将应用于AMD的Instinct MI325X和MI355X加速器，以及Nvidia的Blackwell B300系列计算GPU，主要服务于AI和HPC应用。

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