三星电子抢建 10nm 第七代 DRAM 测试线，力图重夺市场领先地位

据韩媒Business Korea报道，三星电子正在积极投资并建设10纳米级第七代（1d）DRAM测试线，旨在提高良率，缩小与竞争对手的技术差距，并努力在未来夺回DRAM市场的领先地位。

最新消息指出，三星已于今年第四季度开始在平泽第二工厂（P2）建造10纳米级第七代DRAM测试线，也被称为“one path”线。

预计这条测试线将于2025年第一季度完工，用于评估新产品的量产潜力并提高良率。虽然平泽10纳米级第七代DRAM工厂的规模尚未确定，但一般而言，每月安装测试线可处理约10000片晶圆。

据IT之家援引该报道称，三星计划同步推进第七代DRAM测试线的建设和第六代DRAM的量产准备，并计划从2025年初开始在平泽第四工厂（P4）引进设备，生产10纳米级第六代DRAM，并争取在明年5月获得内部量产批准（PRA）。

为了顺利推进1cDRAM的量产，三星还将从华城工厂调派DRAM相关人员到平泽工厂。

媒体认为，三星此举是一项积极的投资策略。在HBM市场份额被SK海力士超越以及10纳米级第六代DRAM开发速度滞后的情况下，三星正全力以赴，希望通过提前布局下一代产品，在明年重夺市场“霸主”地位。

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