消息称三星电子 HBM3E 内存性能未达要求，2024 年内难以向英伟达供应

IT之家消息，据韩媒hankooki报道，三星电子因为HBM3E内存样品性能未达英伟达要求，无法在今年正式向这家大客户供应，实际供货将推迟至2025年。

报道称，三星电子自2023年10月起向英伟达提供HBM3E内存质量测试样品，但一年多时间内三星HBM3E的认证流程未取得明显进展。

据韩媒援引的消息人士观点，由于SK海力士在HBM3E方面处于领先地位，为这类利基内存确定了性能参数标准，三星电子的HBM3E在发热和功耗等性能参数上无法满足英伟达要求。

消息称，英伟达未授权三星电子供货其HBM3E，主要因素并非与SK海力士采用的键合工艺不同。

IT之家注：

SK海力士在HBM3E上采用了批量回流模制底部填充MR-RUF键合技术，而三星电子与美光则采用TC-NCF热压非导电薄膜。

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