消息称三星电子启动下代 1c nm DRAM 内存量产设备订购，明年 2 月引进

据报道，近期，三星电子已开始采购下一代1c nm制程DRAM内存量产所需设备。该公司计划从Lam Research泛林集团等半导体设备制造商采购设备，并计划于明年2月左右将这些设备引入生产线。

虽然三星电子尚未正式宣布1c nm（第6代10nm级制程）DRAM，但报道称该公司的1c nm目前正在试验阶段，并已经生产出了第一批良品晶粒。三星电子计划在韩国京畿道平泽P4工厂设立首条1c nm量产线。

据业内人士透露，三星电子初期投资于1c nm量产不会太大。这是因为需要时间来稳定这一新制程DRAM的良率，只有当工艺成熟后，三星才会考虑额外投资。

此前的消息称，三星电子已确认计划在下一代HBM4中采用1c nm DRAM。1c nm的表现将在很大程度上影响三星能否在竞争激烈的HBM内存市场赶超甚至超越目前的领先者SK海力士。

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