SK 海力士宣布全球率先向客户提供 12 层（12Hi）HBM4 内存样品

据悉，SK 海力士近日发布了针对人工智能的高性能DRAM新品——12层（12Hi）HBM4内存，并已率先向全球主要客户提供了样品。

SK 海力士在这款12Hi HBM4内存中采用了24Gb DRAM芯片，并继续采用了先进的MR-MUF技术，单封装容量可达36GB，带宽高达2TB/s，较HBM3E的运行速度提升了60%以上。

据称，SK 海力士表示：

借助在HBM市场上的技术竞争实力和生产经验，公司提前推出了12层HBM4样品，并已经着手客户验证流程。预计下半年完成量产准备，以加强在面向人工智能的新一代存储器市场的领先地位。

SK 海力士旗下AI Infra负责人金柱善表示：

公司致力于克服技术限制，成为人工智能生态创新的引领者，以行业最大规模的HBM供应经验为支撑，未来将顺利进行性能验证和量产准备。

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