消息称 SK 海力士将独家供应英伟达 12 层 HBM3E 芯片

根据台湾 Digitimes 的最新消息，SK 海力士有望成为英伟达 Blackwell Ultra 架构芯片第五代 12 层 HBM3E 的独家供应商，这将进一步拉大英伟达与三星电子、美光之间的差距。

去年 9 月，SK 海力士率先实现量产 12 层 HBM3E 芯片，最大容量达到 36GB。12 层 HBM3E 的运行速度可达到9.6Gbps，在搭载四个HBM的 GPU 上运行‘Llama 3 70B’大语言模型时，每秒可读取 35 次 700亿个整体参数的水平。

去年 11 月，SK 集团会长崔泰源透露，英伟达 CEO 黄仁勋要求 SK 海力士提前六个月供应下一代高带宽内存芯片 HBM4。

计划在 2025 年下半年推出采用 12 层 DRAM 堆叠的首批 HBM4 产品，16 层堆叠 HBM 将稍晚于 2026 年推出。

据彭博社知情人士透露，三星电子已获得批准向英伟达供应 8 层 HBM3E 高带宽存储芯片。尽管这代表着三星迈出了一步，但在高带宽内存（HBM）技术方面，它仍然落后于 SK 海力士和美光科技等竞争对手。

另外，美光执行副总裁兼首席财务官 Mark Murphy 透露，美光公司的 12 层堆叠 HBM 内存产品（12Hi HBM3E）即将迎来批量生产。

广告声明：本文包含对外链接，仅供信息传达，具体内容以链接页面为准。