消息称英伟达高管再访三星天安封装工厂，HBM3E 供应进入关键阶段

根据IT之家3月13日消息，韩国媒体FNnews于3月12日发布了一篇博文，指出英伟达高管在3月10日访问了位于天安的三星电子封装工厂，进行第五代高带宽内存HBM3E的审计和测试。

三星预计将在今年第一季度末为主要客户供应HBM3E的8层产品，并且力争在上半年完成12层产品的交付。为了应对紧迫的交货期限，三星甚至将部分人力从下一代HBM4的研发投入到HBM3E项目中，这次访问被视为HBM3E供应进入最后冲刺阶段的标志。

IT之家援引博文指出，英伟达高管于3月10日就HBM3E的封装工艺进行了重点审计，这是自2024年12月首度实地考察后的再次访问，显示出英伟达对产品质量的高度关注。

三星在上月的财报电话会议中透露，计划在2025年第一季度末向“主要客户”供应HBM3E（8层）产品，并预计在今年上半年交付HBM3E的12层芯片，以满足客户的需求。

有报道称，三星为提升HBM3E的良率和稳定性，已将原本专注于下一代HBM4研发的团队调至HBM3E项目。此外，三星还在优化先进DRAM的良率，以确保顺利交付。

作为高带宽内存领域的重要产品，HBM3E的供应状况将直接影响三星与SK海力士在HBM市场的竞争格局。三星原本将HBM4视为市场竞争的关键，但由于客户需求迅速向HBM3E的12层产品转变，公司目前的重点转向HBM3E的质量测试和交付。这次英伟达的审计结果，将决定三星在激烈市场竞争中是否能够占据有利地位。

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