消息称三星本月 5000 亿韩元引入其首台 ASML High NA EUV 光刻机：剑指 2nm 市场，追赶台积电

据IT之家3月12日消息，韩媒FNnews于昨日（3月11日）发布一篇博文，指出三星电子在本月初于华城园区引入了ASML提供的High NA极紫外光刻（EUV）设备，意在提升其在2纳米及以下制程的竞争力。

ASML的High NA EUV设备“EXE:5000”是全球唯一能够提供此类设备的厂商，单台设备的价格高达5000亿韩元（IT之家提醒：当前约24.88亿元人民币）。该设备通过扩大透镜和反射镜的尺寸，将数值孔径（NA）从0.33提升至0.55，这大幅提升了光刻的精度，成为2纳米及以下制程的关键工具。

相较于现有的EUV设备，High NA EUV技术能够实现更细小的电路线宽，这样可以有效降低功耗并提升数据处理的速度。自去年起，三星已开始评估该设备在工艺方面的应用，旨在推动下一代半导体的生产。

三星电子计划在完成设备的安装后，构建全面的2纳米工艺生态系统。三星晶圆代工业务部负责人韩镇万表示，尽管在环绕栅极（GAA）工艺的转型方面取得了领先，但公司仍需在商业化上加快步伐，迅速实现2纳米工艺的大规模量产是其首要任务。

全球半导体企业正在加快引入High-NA EUV设备，英特尔在2023年首家采购了ASML的High-NA EUV设备，并已签订合同总共采购6台。根据路透社的报道，英特尔的前两台High-NA EUV设备已经投入生产，每季度能够处理3万片晶圆。

根据BITS&CHIPS的报道，英特尔预计将率先获得EXE:5200设备用于其14A工艺，而台积电则计划在2028年首次开启High-NA量产。

TrendForce的数据表明，尽管三星在2023年第四季度的全球晶圆代工市场中位列第二，其收入却环比下降1.4%，至32.6亿美元，市场份额仅为8.1%。而台积电（TSMC）则以67%的市场份额占据领先地位。

更多信息：

• 《三星电子NRD-K半导体研发综合体引入ASML的High NA EUV光刻设备》

• 《报道称三星电子计划在2025年初引进第一台ASML High NA EUV光刻机》

• 《消息透露三星德克萨斯工厂由于缺乏订单推迟接收ASML EUV光刻机》

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