SK 海力士宣布量产全球最高的 321 层 1Tb TLC 4D NAND 闪存，计划 2025 上半年对外出货

最新消息显示，SK 海力士已开始批量生产全球最高层次的 321 层 1Tb TLC 4D NAND 闪存，为用户带来更快的数据传输速度和卓越的读取性能。

据称，这款 321 层产品较上一代提升了12%的数据传输速度和13%的读取性能，同时提高了10%以上的数据读取效率。

SK 海力士表示：“公司在 2023 年 6 月开始量产了上一代 238 层 NAND 闪存产品，并将其投放市场。如今，公司再次推出了超过 300 层的 NAND 闪存产品，打破了技术壁垒。明年上半年起，公司计划向客户提供 321 层产品，以满足市场需求。”

据悉，SK 海力士在该产品的开发过程中采用了高效的“3-Plug”工艺技术，成功克服了堆叠方面的限制。

据 IT 之家报道，该技术通过三次通孔工艺流程，然后通过优化后续工艺来实现三个通孔的电气连接。该过程中开发出了低变形材料，并引入了通孔间自动排列矫正技术。

此外，SK 海力士技术团队将上一代 238 层 NAND 闪存的开发平台成功应用于 321 层产品中，最大限度地减少了工艺变化。相较上一代产品，生产效率提升了59%。

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