三星电子 NRD-K 半导体研发综合体进机，将导入 ASML High NA EUV 光刻设备

综合报道称，三星电子于11月20日宣布在韩国当地时间于本月18日举行了一项重要的仪式，标志着位于器兴园区的NRD-K新半导体研发综合体即将开始设备安装，该项目计划于2022年动工。

NRD-K占地面积达10.9万平方米，预计将成为三星电子DS部旗下存储器、系统LSI和Foundry三大事业部的核心研发基地，到2030年，该项目的投资将累计达到约20万亿韩元。

此外，NRD-K还将建设一条研发专用生产线，计划于2025年投入运营。

NRD-K综合体将引入ASML High NA EUV光刻机、新材料沉积设备等最先进的半导体生产工具，旨在加速3D DRAM和千层V-NAND等下一代存储芯片的开发，同时还将兴建WoW晶圆键合基础设施。

在仪式上，三星DS部负责人全永铉表示：

通过NRD-K的建设，我们将构建下一代半导体技术的循环体系，从基础研究到量产，以大幅提高技术开发速度。

我们将以三星电子半导体50年历史的起点器兴为基础，为实现新的飞跃打下基础，开创新的未来。

更多阅读：

• 《三星电子计划于2025年早期引入首台ASML High NA EUV光刻机》

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