数据存储领域重要突破：芝加哥大学团队在 1mm 晶体上存储数 TB 数据

近日，美国芝加哥大学的研究团队在数据存储领域取得了重要突破。据外媒 TechSpot 报道，他们成功在一个微小的晶体立方体内存储了数 TB 的数据。这一壮举得益于研究人员利用晶体中的单原子缺陷，将数据的二进制 1 和 0 存储在其中。

传统数据存储方式一直受限于在“开”和“关”两种状态之间切换的系统。然而，传统存储组件尺寸受限，制约了设备的存储容量。

为解决这一难题，芝加哥大学的研究团队开发了一种创新方法，成功展示了如何利用晶体中的缺陷原子，在微小空间内存储大量数据，达到数 TB 的存储量。

芝加哥大学普利茨克分子工程学院的研究团队在《纳米光子学》期刊上发表了这一突破性研究。他们探讨了如何将量子方法与经典计算原理相结合，利用晶体缺陷作为单独的存储单元。

在钟天（音译）助理教授的带领下，研究团队通过创新性地将稀土离子引入晶体，开发出这一存储方法。他们将镨离子融入氧化钇晶体中，这一方法还可以应用于其他材料，因为稀土元素具有多种光学特性。

这一存储系统通过紫外激光激活，激光为稀土离子提供能量，释放电子，而这些电子被困在晶体的自然缺陷中。通过控制这些缺陷的电荷状态，研究人员成功构建了一个二进制系统，其中带电缺陷代表“1”，未带电缺陷代表“0”。

晶体缺陷作为潜在的量子比特一直备受关注。芝加哥大学的研究团队更进一步，发现如何利用这些缺陷进行经典数据存储。

研究人员认为，这一突破将重新定义数据存储的极限，为经典计算领域带来超小型、高容量的存储解决方案。

详情请查阅研究论文：研究地址

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