三星电子否认重新设计 1b DRAM，力求提升性能和良率

IT之家 1 月 22 日报导，根据 DigiTimes 的最新信息，三星电子已澄清了关于重新设计其第五代 10nm 级 DRAM（1b DRAM）的传闻。

据 IT之家昨天援引 ETNews 的报道称，为解决其 12nm 级 DRAM 内存产品所面临的良率和性能问题，三星电子计划在 2024 年底之前进行现有 1b nm 技术的改进，同时重新设计新版的 1b nm DRAM。

市场观察者指出，三星重新设计 1b DRAM 的决策是受到竞争压力的影响。SK 海力士和美光已经开始在HBM中采用1b DRAM技术，而三星仍在继续使用之前的1a DRAM技术。

另外，据报道，三星启动了名为“D1b-p”的开发项目，目的在于提升其DRAM业务的竞争实力，“p”指的是“prime”，象征着出色的品质。该项目的主要目标是增强能效和散热性能。

尽管三星在全球DRAM领域占据领先地位，但当前正面临来自SK 海力士和美光的挑战。两家公司都已成功商业化1b DRAM技术，其中SK 海力士甚至已在2024年8月率先完成了1c DRAM技术的开发。

有报道称，即将发布的三星 Galaxy S25 系列智能手机将由美光担任其主要的移动DRAM（LPDDR5）供应商。这主要是因为三星尚未完全解决1b LPDDR5X的良率和散热问题。

三星向媒体否认了这一报道，并称相关报道不准确。这一事件引起了业界的广泛关注，突显了存储芯片市场竞争之激烈。

尽管三星否认了重新设计的报道，但业内知情人士透露，三星的目标是提高1b DRAM技术的性能和良率。据悉，重新设计牵涉到工艺调整，费用高昂且复杂，三星已紧急采购设备，计划在2024年底前完成设备的安装和测试，预计更新后的1b DRAM技术将于2025年第二或第三季度开始投产。

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