为应对内存良率、性能困局：消息称三星从头设计新版 1b nm DRAM

据韩媒ETNews报道，三星电子内部计划在2024年底采取措施，应对其12nm级DRAM内存产品面临的良率和性能问题。该公司已决定在改进现有1b nm工艺的同时，重新设计新版1b nm DRAM。

这项新版12nm级DRAM工艺项目被称为D1B-P（P代表Prime的简称），专注于提高能效和散热表现。类似于三星之前推出的第六代V-NAND改进版制程V6P的命名逻辑。

三星公司在2022年12月和2023年5月相继宣布其12nm级DDR5 DRAM的开发和批量生产完成。然而，这一代工艺并未在LPDDR5x等关键领域取得成功，最终导致三星DS部门失去了在Galaxy S25系列手机初期内存供应方面的地位。

此外，现有12nm级DRAM工艺的良率仅约60%，远低于大规模量产所需的80%~90%。

报道指出，三星电子在2024年底紧急订购了D1B-P项目所需的关键设备，该制程计划将于2025年内实现量产，最早将于今年的2~3季度推出。

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