黄仁勋访问矽品精密，透露英伟达 Blackwell 芯片封装将由 CoWoS-S 转到 CoWoS-L

IT之家于1月17日报道，英伟达的首席执行官黄仁勋近日参加了公司在中国大陆分公司的年会，尽管早前有计划前往北京和上海进行访问，但行程已调整至台中。

根据1月16日的台媒《经济日报》报道，黄仁勋出席了供应商矽品精密的新工厂开幕仪式。他在活动中提到：“英伟达正在进行封装技术的升级，将从之前的CoWoS-S技术逐步转向更新的CoWoS-L技术，这实际上将需要进一步提升CoWoS-L的生产能力。”

IT之家发现，早在1月13日，野村证券的分析师郑明宗已提及英伟达可能将减少多达80%的来自台积电的CoWoS-S订单。天风证券的郭明錤分析师在1月15日同样表示，由于英伟达的Hopper架构芯片停产，预计到2025年CoWoS-S的需求将大幅减少。因此，黄仁勋的发言进一步证实了这一传言的准确性。

IT之家补充：台积电将CoWoS封装技术分为三种类型，包括CoWoS-S、CoWoS-R和CoWoS-L。

• CoWoS-S采用单片硅中介层与硅通孔（TSVs）来实现芯片（Die）与基板之间的高速信号直接传递，此技术传输效率高，但存在良率问题，因此其制造成本偏高。

• CoWoS-R采用有机中介层替换CoWoS-S的硅中介层，由于材料特性，良率问题得到解决，虽然传输效率低于CoWoS-S，但制造成本更低且灵活性较强，因此适合大规模生产。

• CoWoS-L结合了局部硅互连（LSI）与有机中介层，综合了CoWoS-S与CoWoS-R的优势，在性能与成本之间取得了平衡，英伟达的Blackwell芯片也将采用这一技术来替代更昂贵的CoWoS-S封装。

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