镓仁半导体发布全球首颗第四代半导体氧化镓 8 英寸单晶

IT之家 3 月 6 日报道，杭州镓仁半导体 Garen Semi 于昨日宣布推出全球首款第四代半导体材料——氧化镓 8 英寸单晶，该公司由此成为全球首家掌握8英寸氧化镓单晶生长技术的企业。

镓仁半导体在2022至2024年间成功生长了2英寸、4英寸及6英寸的氧化镓单晶，最新的8英寸单晶产品不仅提高了晶圆面积的利用率，还能与现有的硅基8英寸生产线兼容，这将大幅推动氧化镓在各领域的应用。

根据IT之家了解，氧化镓——具体为β-Ga₂O₃，拥有更宽的4.85eV 禁带宽度，相较于碳化硅和氮化镓展现出更优越的热稳定性和化学稳定性，同时具有更强的电击穿强度，是第四代半导体中的重要材料。

以氧化镓为基础的功率器件能够实现更低的电阻和更高的转换效率，这使得新能源汽车平台电压有望提升至1200V。此外，氧化镓材料的260nm紫外截止波长使得紫外波段的透过率受载流子浓度影响较小，非常适合用于制造深紫外波段的光电器件。

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