美光全球首款 G9 工艺 UFS 4.1/3.1 存储芯片开始出货，助力智能手机 AI 性能提升

IT之家 3月3日报道，今日美光科技宣布其全球首发基于G9工艺的UFS 4.1与UFS 3.1智能手机存储解决方案已开始发货，使设备具备更丰富的本地人工智能能力。这些新存储芯片预计将很快应用于即将推出的旗舰产品，特别是在美光1y工艺的LPDDR5X芯片之后，而后者计划在2026年初上市。

新一代UFS 4.1和UFS 3.1移动存储芯片在硬件性能方面有了明显增强，基于美光G9工艺节点，提供了更高的能效和读写速度。它们的容量范围涵盖256GB到1TB，专为超薄和折叠屏智能手机设计。

IT之家特别指出，除了硬件的进步，美光还通过软件优化来提升用户体验和人工智能任务处理性能。比如，UFS 4.1存储解决方案采用了分区UFS技术，从而提升读写效率并减少写入放大效应。此外，数据碎片整理功能使UFS设备的数据重定位和整理效率提高了60%。固定写入加速器（Pinned WriteBooster）能将存储在加速器缓冲区中的数据访问速度提升近30%。智能延迟追踪器通过延迟日志分析进行自动调试，这一功能同样适用于UFS 3.1，而其他特性则是UFS 4.1所独有。

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