消息称三星电子完成 4XX 层 NAND 闪存技术开发，开始向量产线转移

据韩媒SEDaily报道，消息人士透露，三星电子已完成旗下研发机构开发的4XX层第10代3D V-NAND闪存技术，并于上个月开始将该技术转移到平泽1号工厂的量产线上。

据IT之家先前的报道，三星电子将在2025年IEEE ISSCC国际固态电路会议上介绍4XX层1Tb TLC NAND。此产品采用晶圆键合技术，存储密度达28 Gb/mm²，I/O引脚速率达5.6Gb/s。

据韩媒报道，三星V10 NAND将采用三堆栈结构。该闪存的开发阶段良率约为10%至20%，而量产门槛为60%。三星电子正努力提升第10代V-NAND量产线上的良率，若顺利，将在2025下半年获得PRA量产许可，最快可能于明年第二季度开始量产。

根据TrendForce集邦咨询数据，三星电子在2024年第三季度继续保持着第一大NAND闪存原厂的地位。该企业不仅在积极研发，还计划通过扩充先进产能来巩固其领先地位：三星计划明年在平泽P4工厂每月新增3~4万片晶圆的V9 NAND产能；同时，中国西安工厂的工艺升级工程也在有条不紊地进行中。

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