美光抢滩 1γ DDR5 内存：最少化 EUV 使用，加速量产尖端 DRAM

IT之家 3 月 11 日报道，美光（Micron）在今年 2 月向英特尔（Intel）和 AMD 等客户交付 1γ（gamma）DDR5 样品，成为内存领域首个实现该里程碑的公司。

据韩媒 chosun 3 月 10 日的报道，美光在交付的样品中，仅有一层使用极紫外光刻（EUV）技术，公司计划通过降低 EUV 的使用频率，加快尖端 DRAM 的量产进程。

IT之家引述该博文指出，美光选择减少对 EUV 的使用，而是更加依赖成熟的氩氟浸没式光刻（ArFi）工艺。

根据 ASML 的数据，下一代深紫外光刻（DUV）系统，采用193纳米波长的氩氟激光，能够实现38纳米特征尺寸的成像；相对而言，EUV光刻则使用13.5纳米波长的光，精度更高但成本也较为昂贵。

美光指出，EUV技术尚未达到完全稳定的阶段，因此只在必要时使用，这一策略在短期内可能加速量产，但从长远来看，可能会影响芯片的良率和性能。

与美光的策略不同，三星和 SK 海力士在DRAM技术的进步上则更加依赖EUV层。自2020年起，三星就已在内存生产中应用EUV技术，计划在其第6代10纳米DRAM（1c）中使用超过5层EUV。而SK海力士于2021年引入了EUV设备，并计划在下一代1c DRAM中采用相似的策略。

虽然美光减少了对EUV的依赖可能在短期内降低成本，但从长远来看可能会遇到技术瓶颈。业内专家表示，ArFi工艺步骤较多，这可能导致良率的下降。在EUV层数增加，特别是超过三层时，技术难度将会显著上升。

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