消息称三星与长江存储重磅合作，V10 NAND 将使用中国企业专利

IT之家 2 月 24 日报道，随着存储行业竞争的加剧，推动了NAND技术的稳步发展，近期出现了一个引人注目的消息：

据韩媒 ZDNet 今日透露，三星或将借助中国长江存储的混合键合专利，这项技术将应用于其V10（第10代）NAND产品中。

报道称，三星预计将在2025年下半年开始大规模生产其V10 NAND，预计该产品的层数将达到约420至430层。

同时，报告指出，三星和SK海力士正与长江存储就一项专利协议进行洽谈。

IT之家注：长江存储率先在闪存领域采用晶栈Xtacking技术，这种技术允许在单颗晶圆上独立加工负责数据输入/输出及存储单元的外围电路，促进选择更合适的先进逻辑工艺，从而提升NAND产品的I/O接口速度及操作功能。

约四年前，长江存储在此领域建立了强大的专利组合。三星此前在NAND生产中采用的是COP（Cell on Peripheral）技术，该技术将外围电路和存储单元堆叠在同一晶圆上。然而，当层数超过400时，下层外围电路承受的压力会影响产品的可靠性，因此需要探索新的解决方案。

知情人士透露，美国Xperi、长江存储和台积电是混合键合专利的主要拥有者。三星意识到在下一个NAND世代如V10、V11和V12中很难避开现存专利，因此决定寻求与长江存储的合作。

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