三星目标 2028 年推出“移动 HBM”LPW 内存：I/O 提速 166%，针对端侧 AI 优化

据韩媒SEDaily报道，三星电子DS部门首席技术官Song Jai-hyuk在美国加州旧金山当地时间17日在IEEE ISSCC 2025国际固态电路会议全体会议上透露，预计将于2028年推出首款针对设备端AI应用优化的LPW DRAM内存产品。

LPW是LPDDR Wide-IO的简称，类似LPDDR但具有更高I/O位宽的移动端内存产品，通过引入更多I/O通道的同时降低每个通道的数据传输速率，以实现高带宽低功耗的目标。LPW DRAM的设计思路与用于AI GPU的HBM内存相似，因此被称为“移动HBM”。

此外，LPW DRAM在结构上采用结合RDL（重布线层）的垂直引线键合取代传统引线键合，实现更小封装尺寸和更出色的能效表现。

三星电子声称，LPW DRAM的带宽可超过200GB/s，较现有LPDDR5x提升166%；同时功耗降至1.9 pJ/bit，比LPDDR5x降低54%。

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