三星目标 2028 年推出 LPW DRAM 内存：I/O 速度提升 166%，针对端侧 AI 优化

据韩媒SEDaily报道，三星电子DS部门首席技术官Song Jai-hyuk在美国加州旧金山当地时间17日参加IEEE ISSCC 2025国际固态电路会议全体会议时透露，首款针对设备端AI应用优化的LPW DRAM内存产品将于2028年发布。

LPW是LPDDR Wide-IO的简称，类似LPDDR但具有更高I/O位宽的移动端内存产品，引入更多I/O通道的同时降低每个通道的数据传输速率，实现高带宽低功耗的目标。

此外，LPW DRAM在结构上改变了多层DRAM堆栈的组合方式：采用结合RDL的垂直引线键合取代传统引线键合，实现更小的封装尺寸和更优秀的能效表现。

三星电子宣称，LPW DRAM的带宽可达200GB/s以上，较现有的LPDDR5x提升166%；同时功耗降至1.9pJ/bit，比LPDDR5x低54%。

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