消息称三星芯片部门负责人携 1b DRAM 样品访问英伟达，全力争取 HBM3E 订单

据报道，三星芯片部门的负责人上周访问了美国英伟达总部，向英伟达展示了最新研发的1b DRAM芯片样品，该芯片主要用于高带宽内存（HBM）。

消息人士透露，去年英伟达要求三星改进1b DRAM的设计，展示的样品基于英伟达的要求进行了改进。三星设备解决方案（DS）部门负责人亲自向客户展示样品的情况较为罕见。

去年，三星计划使用1b DRAM生产HBM，但遇到了良品率和过热问题。该DRAM属于第五代10纳米产品，用于HBM3E。面临问题后，三星计划跳过1b DRAM，直接使用1c DRAM生产HBM4。然而，英伟达要求使用1b DRAM，导致三星不得不调整计划。此次三星副董事长兼DS部门负责人的访问，可能是为了确保赢得英伟达的HBM3E订单。

目前，三星的竞争对手SK海力士向英伟达供应采用1b DRAM生产的HBM3E 12H，美光也将开始生产所需的HBM。

上个月，三星表示“改进版”HBM3E的工作进展顺利，计划今年第二季度正式量产并供货。DS部门负责人兼内存业务负责人作为DRAM领域的专家，主导了1b DRAM的设计改进工作。

在CES展会上，英伟达首席执行官黄仁勋表示，三星需要重新设计其HBM，以通过英伟达的资格认证。

文中包含广告链接，仅供参考。