消息称三星电子推动西安工厂闪存工艺进一步升级：年内建成 V9 NAND 产线

近日，韩媒 SEDaily 报导，三星在中国西安的 NAND 闪存工厂正在进行制程升级，将第六代 V-NAND（注：136 层）转换为第八代（238 层），并且计划在今年内建立第九代（286 层）的生产线。

据悉，三星西安 NAND 工厂预计将在今年上半年引入新设备，以支持 V9 NAND 的生产，目标是到年底实现每月 2000~5000 片的晶圆吞吐量。

去年，三星电子已宣布基于第九代 V-NAND 技术的 TLC 和 QLC 粒子进入量产，目前这些产品正由其平泽 P4 工厂生产。而关于堆叠达 4XX 层的 V10 NAND 预计将在 ISSCC 2025 大会上于 2 月 19 日公布。

分析认为，三星通过制程升级来提高高性能、高容量、高盈利能力的“三高”先进节点 NAND 在整体产能中的比重，以应对当前闪存市场的不乐观情况；同时，工艺调整所导致的泻产量将有助于加速供需平衡的实现。

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