弯折 1 万次也能用，西电开发出下一代可穿戴神经形态电子设备器件

最新消息显示，西安电子科技大学集成电路学部刘琛副教授及北京大学深圳研究院香港中文大学（深圳）张敏团队在今年初在Advanced Materials（5年IF=30.2）上发表了关于超柔性高线性硅纳米膜突触晶体管数组的研究成果。

这项研究提出了一种名为柔性硅纳米膜突触晶体管的技术，为未来可穿戴神经形态电子设备的发展、系统集成和运用开辟了全新可能，该研究的第一单位为西安电子科技大学，通讯作者为刘琛副教授和张敏教授。

据西安电子科技大学官方透露，超柔性硅纳米膜突触晶体管具备出色的耐久性，在曲率半径仅 2.2 毫米的10000次弯折循环后，其电学性能依旧稳定如初，适用于运动时佩戴的健康监测设备以及各类灵活智能穿戴配件。

此外，透过合理调控栅极脉冲电压和宽度，该晶体管能精确模拟神经元控制突触后电流，仿效生物神经网络的学习与记忆机制，为人工智能硬件开发打开了一道新局面。

另外，硅纳米膜突触晶体管展现出卓越的长时特性线性度，手写数字识别准确率高达93.2%，具有广泛的潜在应用领域。

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https://doi.org/10.1002/adma.202413404

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