英伟达批准三星 HBM3E 芯片用于人工智能，SK 海力士仍保持领先地位

根据彭博社的最新报道，IT之家在2月1日了解到，三星电子已经获得批准，向英伟达提供其高带宽存储芯片。这家韩国半导体制造商的8层HBM3E芯片在去年12月获得了相关批准。

尽管这一批准标志着三星在高带宽内存技术上有所进展，但相较SK海力士和美光科技等竞争对手，三星仍显落后。SK海力士依然是英伟达高端AI芯片的唯一供应商，尤其是即将发布的Blackwell系列中，将会使用12层HBM3E芯片。

值得注意的是，去年12月曾有报道指出，由于三星的8层和12层HBM3E内存样品性能未能满足英伟达的要求，因此在2024年内正式供应的可能性较小，实际的供货时间可能会推迟到2025年。

此外，三星电子早在2023年10月就已开始向英伟达提供HBM3E内存的质量检测样品，但在此之前一年多的认证流程中，三星HBM3E的进展并不显著。

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