华硕展示 ROG 主板内存插槽固定技术：减少信号反射干扰，超频性能提升 400MT/s

IT之家最新消息指出，华硕ROG官方展示了最新的NitroPath DRAM技术，该技术重新设计了主板上的内存插槽根部固定结构，从而有效提升了内存信号完整性和内存OC超频性能。

根据IT之家的调查，ROG Crosshair X870E Hero和ROG Strix X870E-E Gaming WiFi目前已经支持这项技术，官方指出内存固定力度增加了57％，超频性能提升了400 MT/s。

同时，新型插槽比传统设计更加耐磨，对于那些可能会需要不时升级或更换内存的发烧友来说，这是一个额外的卖点。

了解这项功能，我们需要略微了解一些电气工程知识。现代DIMM采用了288个引脚，这意味着DIMM上有288个金手指焊盘需要与DRAM插槽中的288个引脚接触。

华硕采用了多种策略，包括PCB材料配置、优化走线布局和精密焊接等方法，最大限度地减少信号反射和干扰，确保性能稳定。

在传统DRAM插槽中，每个引脚都有一个部分“残余”，即从接触点向上伸出的部分。这些残余确保用户在插入金手指时不会刮伤内存模块，但也会造成信号反射和干扰。

华硕指出，在DDR5标准速度下，这些残余引起的反射是可控的，但当内存速度超过8000 MT/s时，它们的影响就会变得明显。

华硕的NitroPath DRAM技术采用了一种全新的引脚布局方式，不再让引脚向上伸出，而是向内折叠，同时确保尖锐边缘不会与金手指接触。这一方法可以将残余长度缩短约70％，而且不需要对DIMM结构进行调整，可与现有内存兼容。

据华硕内部测试显示，NitroPath DRAM技术对于具有四个DIMM插槽的主板影响最为显著，而只有两个DIMM插槽的型号已经具备出色的内存性能，因此收益有限。

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